词语繁体:相變化內存
词语读音:xiāng biàn huà nèi cún
首字拼音:Xiang
词语拼音:xiang bian hua nei cun
词语简拼:XBHNC
词语字数:五字词语
相变化内存(Phase-change memory,Ovonic Unified Memory,Chalcogenide RAM,简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又译为相变位内存,是一种非易失性存储器装置。PRAM 使用含一种或多种硫族化物的玻璃(Chalcogenide glass)制成,主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃的特性是,经由加热可以改变它的状态,成为晶体(Crystalline)或非晶体(Amorphous)。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。 它是未来可能取代快闪存储器的技术之一。
【相的意思】:相 xiāng(ㄒ一ㄤ) (一)、交互,行为动作由双方来:互相。相等。相同。相识。相传( chuán 详情>
【变的意思】:变(變) biàn(ㄅ一ㄢˋ) (一)、性质状态或情形和以前不同,更改:变调。变动。变法。变为。变革 详情>
【化的意思】:化 huà(ㄏㄨㄚˋ) (一)、性质或形态改变:变化。分化。僵化。教( jiào )化。熔化。融化。 详情>
【内的意思】:内 nèi(ㄋㄟˋ) (一)、里面,与“外”相对:内部。内外。内定。内地。内阁。内行( háng ) 详情>
【存的意思】:存 cún(ㄘㄨㄣˊ) (一)、东西在那里,人活着:存在。存亡。生存。(二)、保留,留下:保存。留存 详情>