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相变化内存

词语繁体：相變化內存

词语读音：xiāng biàn huà nèi cún

首字拼音：Xiang

词语拼音：xiang bian hua nei cun

词语简拼：XBHNC

网络解释释义

相变化内存（Phase-change memory，Ovonic Unified Memory，Chalcogenide RAM，简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又译为相变位内存，是一种非易失性存储器装置。PRAM 使用含一种或多种硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成，主流为GeSbTe系合金。硫属玻璃的特性是，经由加热可以改变它的状态，成为晶体（Crystalline）或非晶体（Amorphous）。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。它是未来可能取代快闪存储器的技术之一。

词语分字意思解释

【相的意思】：相 xiāng（ㄒ一ㄤ）（一）、交互，行为动作由双方来：互相。相等。相同。相识。相传（ chuán 详情>

【变的意思】：变（變） biàn（ㄅ一ㄢˋ）（一）、性质状态或情形和以前不同，更改：变调。变动。变法。变为。变革 详情>

【化的意思】：化 huà（ㄏㄨㄚˋ）（一）、性质或形态改变：变化。分化。僵化。教（ jiào ）化。熔化。融化。 详情>

【内的意思】：内 nèi（ㄋㄟˋ）（一）、里面，与“外”相对：内部。内外。内定。内地。内阁。内行（ háng ） 详情>

【存的意思】：存 cún（ㄘㄨㄣˊ）（一）、东西在那里，人活着：存在。存亡。生存。（二）、保留，留下：保存。留存 详情>

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